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半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀 電阻測(cè)量?jī)x

簡(jiǎn)要描述:半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀 電阻測(cè)量?jī)x 儀器分為電氣箱和測(cè)試架兩部分,儀器電氣箱由直流數(shù)字電壓表、高抗干擾、高度隔離性能的電源變換裝置,高穩(wěn)定、高精度的恒流源所組成。測(cè)量結(jié)果由LED數(shù)字顯示、零位穩(wěn)定、輸入組抗高,儀器并設(shè)有自校功能,在片狀材料測(cè)試時(shí),具有系數(shù)修正功能,使用方便、測(cè)試架結(jié)構(gòu)新穎

  • 更新時(shí)間:2024-11-07
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詳細(xì)介紹

半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀 電阻測(cè)量?jī)x

BD-86A型半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀是根據(jù)四探針原理,作為普及型半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀器適合半導(dǎo)體器材廠、材料廠用于測(cè)量半導(dǎo)體材料(片狀、棒狀)的體電阻率,方塊電阻(薄層電阻);也可以用作測(cè)量金屬薄層電阻。經(jīng)過對(duì)用戶、半導(dǎo)體廠測(cè)試的調(diào)查,根據(jù)美國(guó)ASTM標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定,在電路和探頭方面作了重大的修改和技術(shù)上的許多突破。它更適合于半導(dǎo)體器材廠工藝檢測(cè)方面對(duì)中值、高阻硅、鍺材料方塊電阻和體電阻率的測(cè)量需要,成為普及型的電阻率測(cè)試儀,具有測(cè)量精度高、穩(wěn)定性好、輸入阻抗高、使用方便、價(jià)格低等特點(diǎn)。

儀器分為電氣箱和測(cè)試架兩部分,儀器電氣箱由直流數(shù)字電壓表、高抗干擾、高度隔離性能的電源變換裝置,高穩(wěn)定、高精度的恒流源所組成。測(cè)量結(jié)果由LED數(shù)字顯示、零位穩(wěn)定、輸入組抗高,儀器并設(shè)有自校功能,在片狀材料測(cè)試時(shí),具有系數(shù)修正功能,使用方便、測(cè)試架結(jié)構(gòu)新穎、外形美觀,探針為合金材料,配用寶石導(dǎo)向,具有測(cè)量精度高、游移率小、耐磨和壽命長(zhǎng)的特點(diǎn),而且壓力可調(diào)恒定,備有手動(dòng)探針測(cè)試臺(tái),自動(dòng)控針測(cè)試臺(tái),供用戶選擇。

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 半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀 電阻測(cè)量?jī)x

本儀器為國(guó)內(nèi)*新研制出的普及型半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀器,特別適合于薄片材料測(cè)量。儀器主要技術(shù)指標(biāo)


測(cè)量范圍:電阻率 10-3∽103 分辯率為10-4Ω—cm,可擴(kuò)展到105Ω—cm

方塊電阻 10-2Ω/104Ω/□,分辯率為10-3Ω/□,可擴(kuò)展到108Ω/□

薄層金屬電阻 10-4∽105Ω,分辯率為10-4Ω—cm

可調(diào)半導(dǎo)體材料尺寸:直徑:Φ15 ∽ Φ 100 mm

長(zhǎng)度:150mm

3.測(cè)量方式:軸向、斷面均可

4.?dāng)?shù)字電壓表:(1)量程:20mV(分辯率:10μV)、

200mV(分辯率:100μV)、

2V(分辯率:1mV)、

  (2)測(cè)量誤差:±0.3%讀數(shù)±2字

  (3)輸入阻抗:大于108Ω

      (4)顯示3 1/2位紅色發(fā)光二極管(LED)數(shù)字顯示,

0 ∽ 1999.具有極性、過載、小數(shù)點(diǎn)、單位自動(dòng)顯示

5.恒流源:由交流供電,具有良好的防泄漏隔離功能

直流電流:0 ∽ 100mA連續(xù)可調(diào)

量程:10μA、100μA、1mA、10mA、100mA

分辯率:10μA、0.1μA、1μA、10μA、0.1mA

電流誤差:(±0.3%讀數(shù)±2字)

6.電性能??己苏`差:<±0.3% 符合ASTM指標(biāo)

7.測(cè)試探頭:   (1)探針間距:S  =  1mm

                                (2) 探針機(jī)械游移率: ±0.3%  


(3) (3)壓力恒定可調(diào)

8.電源:交流220V±10%  50HZ或60HZ  功率消耗 < 30W

9.電氣箱外形尺寸:199×440×280mm


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