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簡(jiǎn)要描述:四探針方阻電阻率測(cè)試儀硅片電阻率測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)(ASTM F84)及國家標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)制造;GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針法》.
產(chǎn)品分類
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LST-332普通四探針方阻電阻率測(cè)試儀
采用范德堡測(cè)量原理能解決樣品因幾何尺寸、邊界效應(yīng)、探針不等距和機(jī)械游移等外部因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響及誤差,提供通訊接口,PC軟件數(shù)據(jù)處理及數(shù)據(jù)分析.中文或英文語言版本.
二.參照標(biāo)準(zhǔn):
硅片電阻率測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)(ASTM F84)及國家標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)制造;GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針法》.
三.適用范圍:
適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門,是檢驗(yàn)和分析半導(dǎo)體材料質(zhì)量的工具;液晶顯示,自動(dòng)測(cè)量和系數(shù)補(bǔ)償,并帶有溫度補(bǔ)償功能,自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程;采用AD芯片控制,恒流輸出,選配:PC軟件,保存和打印數(shù)據(jù),生成報(bào)表
用于:覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜,高、低溫電熱膜;隔熱、導(dǎo)電窗膜 導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層,電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料,其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料方阻測(cè)試等相關(guān)產(chǎn)品
四.型號(hào)及參數(shù)
規(guī)格型 | LST-332 |
1.方塊電阻范圍 | 10-4~2×105Ω/□ |
2.電阻率范圍 | 10-5~2×106Ω-cm
|
測(cè)試電流范圍
| 10μA,100µA,1mA,10mA,100mA |
4.電流精度 | ±0.2%
|
5.電阻精度 | ≤0.3% |
6.顯示讀數(shù) | 液晶顯示:電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率 |
7.測(cè)試方式 | 普通單電測(cè)量 |
8.工作電源 | 輸入: AC 220V±10%.50Hz 功 耗:<30W |
9.誤差 | ≤4%(標(biāo)準(zhǔn)樣片結(jié)果) |
10.選購功能 | 選購1.pc軟件; 選購2.方形探頭; 選購3.直線形探頭; 選購4.測(cè)試平臺(tái);5.標(biāo)準(zhǔn)電阻 |
11.測(cè)試探頭 | 探針間距選購:1mm;2mm;3mm三種規(guī)格; 探針材質(zhì)選購:碳化鎢針;白鋼針;鍍金磷銅半球形針 |
配套方案:解決各材料狀態(tài) --固態(tài)、液態(tài)、氣態(tài)、顆粒狀 電阻、電阻率、電導(dǎo)率測(cè)量
縱橫金鼎儀器-------專注于新材料測(cè)量與分析儀器解決方案
----解決材料:
導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣材料常溫及高溫等環(huán)境下電性能分析.
----我們一直在做:
研發(fā)、生產(chǎn)、銷售研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、租賃、實(shí)驗(yàn)室樣品分析及后延擴(kuò)展服務(wù).
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